当前位置：【碳化硅换热器】生产工艺无压烧结和反应烧结对比
无压烧结碳化硅会取代反应烧结碳化硅吗？
成本决定了，无压烧结很难取代反应烧结，不过无压烧结出的产品，表面更光滑、密度更高、强度也要比反应烧结的高，根据无压的特性，像密封件类，对表面要求严格的，无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。
化学成分一样，都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成，化学式都是SiC，无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。
无压烧结设备简单、易于工业化生产，是Z基本的烧结方法。这种方法也被广泛地应用于纳米陶瓷的烧结，主要通过烧结制度的选择来达到在晶粒生长Z少的前提下使坯体实现致密化。因为在烧结过程中，颗粒粗化（Coarsening）、素坯致密化（Densification）、晶粒生长（Grain Growth）三者的活化能不相同的依赖关系，即颗粒粗化、素坯致密化、晶粒生长三者主要在不同的温度区间进行、利用这种关系，就可通过烧结温度的控制，获得致密化速率大、晶粒生长较慢的烧结条件。烧结制度的控制，主要是控制升（降）温速度、保温时间及Z高温度等。Z常用的无压烧结为等速烧结。
碳化硅换热器生产工艺无压烧结和反应烧结腐蚀性能表：
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碳化硅腐蚀性能表 |
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测试环境 Test Environment |
腐蚀量 |
（mg/cm2yr） |
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（Wt%） |
温度 Temp |
无压烧结碳化硅** |
反应烧结碳化硅 |
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98% H2SO4 |
100 |
1.8 |
55 |
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50% NaOH |
100 |
2.6 |
>1000 |
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53% HF |
25 |
<0.2 |
7.9 |
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85% H3PO4 |
100 |
<0.2 |
8.8 |
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70% HNO3 |
100 |
<0.2 |
0.5 |
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45% KOH |
100 |
<0.2 |
>1000 |
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25% HCI |
70 |
<0.2 |
0.9 |
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10% HF plus 57% HNO3 |
25 |
<0.2 |
>1000 |
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无锡市钱桥化工机械有限公司所生产设备均使用无压烧结碳化硅** |
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